建設單位：廣州粵芯半導體技術有限公司
項目地點：廣州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)
服務內(nèi)容：深化設計
項目投資：70億元（一期44億元）
建設規(guī)模：總用地面積140069㎡；一期總建筑面積119470㎡；二期潔凈室面積25000㎡
建設周期：2018-2019
項目產(chǎn)品：12英寸芯片（線寬0.14um）
項目產(chǎn)能：一期30K片/月
